Murata Electronics North America - NFM21PC104R1E3D

KEY Part #: K7359525

NFM21PC104R1E3D Hinnakujundus (USD) [1022539tk Laos]

  • 1 pcs$0.03635
  • 4,000 pcs$0.03617
  • 8,000 pcs$0.03404
  • 12,000 pcs$0.03192
  • 28,000 pcs$0.02979

Osa number:
NFM21PC104R1E3D
Tootja:
Murata Electronics North America
Täpsem kirjeldus:
CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805. Feed Through Capacitors 100KPF 25V 2.0A EMI
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Lisatarvikud, RF-filtrid, Helical Filters, Elektriliini filtrimoodulid, EMI / RFI filtrid (LC, RC võrgud), Ferriitkettad ja -plaadid, Ferriitsüdamikud - kaablid ja juhtmestik and Ferriidist helmed ja laastud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC104R1E3D electronic components. NFM21PC104R1E3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC104R1E3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM21PC104R1E3D Toote atribuudid

Osa number : NFM21PC104R1E3D
Tootja : Murata Electronics North America
Kirjeldus : CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805
Sari : EMIFIL®, NFM21
Osa olek : Active
Mahtuvus : 0.1µF
Sallivus : ±20%
Pinge - hinnatud : 25V
Praegune : 2A
Alalisvoolu takistus (DCR) (max) : 30 mOhm
Töötemperatuur : -55°C ~ 125°C
Sisestamise kaotus : -
Temperatuuri koefitsient : -
Hinnangud : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
Suurus / mõõde : 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Kõrgus (max) : 0.037" (0.95mm)
Keerme suurus : -

Samuti võite olla huvitatud
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.