Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41J-E3/97

KEY Part #: K6458285

GL41J-E3/97 Hinnakujundus (USD) [1025340tk Laos]

  • 1 pcs$0.03807
  • 10,000 pcs$0.03788

Osa number:
GL41J-E3/97
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - TRIAC-d, Türistorid - SCR - moodulid and Transistorid - FET, MOSFET - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41J-E3/97 electronic components. GL41J-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41J-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41J-E3/97 Toote atribuudid

Osa number : GL41J-E3/97
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.1V @ 1A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : -
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-213AB, MELF (Glass)
Tarnija seadme pakett : DO-213AB
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • S1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt