UF1001-T Hinnakujundus (USD) [1152024tk Laos]
- 1 pcs$0.03227
- 5,000 pcs$0.03211
- 10,000 pcs$0.02854
- 25,000 pcs$0.02676
- 50,000 pcs$0.02372
- Osa number:
- UF1001-T
- Tootja:
- Diodes Incorporated
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO41. Rectifiers 50V 1A
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud and Transistorid - IGBT-moodulid ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Diodes Incorporated UF1001-T electronic components. UF1001-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF1001-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UF1001-T Toote atribuudid
Osa number :
UF1001-T
Tootja :
Diodes Incorporated
Kirjeldus :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Sari :
-
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
50V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
1V @ 1A
Kiirus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
5µA @ 50V
Mahtuvus @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Pakett / kohver :
DO-204AL, DO-41, Axial
Tarnija seadme pakett :
DO-41
Töötemperatuur - ristmik :
-65°C ~ 150°C
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Kuumad osad
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G
选择你的位置