BYM11-1000-E3/97 Hinnakujundus (USD) [931116tk Laos]
- 1 pcs$0.03972
- 10,000 pcs$0.03902
- Osa number:
- BYM11-1000-E3/97
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - RF, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Dioodid - alaldid - massiivid ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-1000-E3/97 electronic components. BYM11-1000-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM11-1000-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM11-1000-E3/97 Toote atribuudid
Osa number :
BYM11-1000-E3/97
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Sari :
SUPERECTIFIER®
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
1000V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
1.3V @ 1A
Kiirus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
500ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
5µA @ 1000V
Mahtuvus @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
DO-213AB, MELF (Glass)
Tarnija seadme pakett :
DO-213AB
Töötemperatuur - ristmik :
-65°C ~ 175°C
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Kuumad osad
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置