Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. 1N5416US

Microsemi Corporation - 1N5416US

KEY Part #: K6440953

1N5416US Hinnakujundus (USD) [7254tk Laos]

  • 1 pcs$6.16099
  • 10 pcs$5.59909
  • 25 pcs$5.17911
  • 100 pcs$4.75925
  • 250 pcs$4.33929
  • 500 pcs$4.05934
Osa number:
1N5416US
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - sillaldid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5416US electronic components. 1N5416US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5416US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5416US Toote atribuudid

Osa number : 1N5416US
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 100V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.5V @ 9A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 150ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 100V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : E-MELF
Tarnija seadme pakett : D-5B
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • VS-E4PU3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SS24SHE3J_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.

  • SS23SHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.

Kuumad osad