Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. JAN1N6622US

Microsemi Corporation - JAN1N6622US

KEY Part #: K6442405

[7413tk Laos]

    Osa number:
    JAN1N6622US
    Tootja:
    Microsemi Corporation
    Täpsem kirjeldus:
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A. Rectifiers Rectifier
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Türistorid - TRIAC-d ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6622US electronic components. JAN1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6622US Toote atribuudid

    Osa number : JAN1N6622US
    Tootja : Microsemi Corporation
    Kirjeldus : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
    Sari : Military, MIL-PRF-19500/585
    Osa olek : Active
    Dioodi tüüp : Standard
    Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 660V
    Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1.2A
    Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.4V @ 1.2A
    Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Vastupidine taastumisaeg (trr) : 30ns
    Praegune - vastupidine leke @ Vr : 500nA @ 660V
    Mahtuvus @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : SQ-MELF, A
    Tarnija seadme pakett : D-5A
    Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

    Viimased uudised

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Samuti võite olla huvitatud
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    Kuumad osad