Winbond Electronics - W632GU6MB-11

KEY Part #: K940228

Täpsem kirjeldus:: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Loogika - puhvrid, draiverid, vastuvõtjad, transii, Kell / ajastus - rakendusepõhine, Lineaarsed - võimendid - eriotstarbelised, Lineaarsed - võimendid - mõõteriistad, OP-võimendi, Manustatud - PLD-d (programmeeritav loogikaseadme), PMIC - kuvadraiverid, PMIC - kehtiv regulatsioon / haldus and PMIC - pingeregulaatorid - eriotstarbelised ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Winbond Electronics W632GU6MB-11 electronic components. W632GU6MB-11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W632GU6MB-11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : W632GU6MB-11

Tootja : Winbond Electronics

Kirjeldus : IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Sari : -

Osa olek : Active

Mälu tüüp : Volatile

Mälu vorming : DRAM

Tehnoloogia : SDRAM - DDR3

Mälu suurus : 2Gb (128M x 16)

Kella sagedus : 933MHz

Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : -

Juurdepääsu aeg : 20ns

Mäluliides : Parallel

Pinge - toide : 1.283V ~ 1.45V

Töötemperatuur : 0°C ~ 95°C (TC)

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : 96-VFBGA

Tarnija seadme pakett : 96-VFBGA (7.5x13)

Samuti võite olla huvitatud

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz