Toshiba Memory America, Inc. - TC58CVG0S3HRAIG

KEY Part #: K939719

TC58CVG0S3HRAIG Hinnakujundus (USD) [26323tk Laos]

  • 1 pcs$1.74077

Osa number:
TC58CVG0S3HRAIG
Tootja:
Toshiba Memory America, Inc.
Täpsem kirjeldus:
IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm Serial NAND
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Kell / ajastus - programmeeritavad taimerid ja ost, PMIC - valgustus, liiteseadised, Manustatud - FPGA-d (programmeeritav välimüür) mik, PMIC - üle Etherneti (PoE) kontrollerid, PMIC - LED-draiverid, PMIC - VÕI kontrollerid, ideaalsed dioodid, Liides - moodulid and Loogika - signaalilülitid, multiplekserid, dekoodr ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG0S3HRAIG electronic components. TC58CVG0S3HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG0S3HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58CVG0S3HRAIG Toote atribuudid

Osa number : TC58CVG0S3HRAIG
Tootja : Toshiba Memory America, Inc.
Kirjeldus : IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Non-Volatile
Mälu vorming : FLASH
Tehnoloogia : FLASH - NAND (SLC)
Mälu suurus : 1Gb (128M x 8)
Kella sagedus : 104MHz
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : -
Juurdepääsu aeg : 155µs
Mäluliides : SPI - Quad I/O
Pinge - toide : 2.7V ~ 3.6V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 8-WDFN Exposed Pad
Tarnija seadme pakett : 8-WSON (6x8)

Samuti võite olla huvitatud
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM