Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Integraallülitused (IC)
  4. Mälu
  5. TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI4

KEY Part #: K938204

TC58BYG1S3HBAI4 Hinnakujundus (USD) [19544tk Laos]

  • 1 pcs$2.34452
Osa number:
TC58BYG1S3HBAI4
Tootja:
Toshiba Memory America, Inc.
Täpsem kirjeldus:
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Kell / ajastus - kellapuhvrid, draiverid, Andmete hankimine - analoog kasutajaliides (AFE), Loogika - multivibraatorid, Manustatud - mikrokontroller, mikroprotsessor, FPG, PMIC - valgustus, liiteseadised, PMIC - mootoridraiverid, kontrollerid, Manustatud - mikrokontrollerid - rakendusespetsiif and Andmete hankimine - digitaalsed potentsiomeetrid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI4 electronic components. TC58BYG1S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG1S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI4 Toote atribuudid

Osa number : TC58BYG1S3HBAI4
Tootja : Toshiba Memory America, Inc.
Kirjeldus : 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Sari : Benand™
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Non-Volatile
Mälu vorming : FLASH
Tehnoloogia : FLASH - NAND (SLC)
Mälu suurus : 2Gb (256M x 8)
Kella sagedus : -
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 25ns
Juurdepääsu aeg : -
Mäluliides : -
Pinge - toide : 1.7V ~ 1.95V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 63-VFBGA
Tarnija seadme pakett : 63-TFBGA (9x11)

Viimased uudised

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Samuti võite olla huvitatud
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

Kuumad osad