NSR10F40NXT5G Hinnakujundus (USD) [804485tk Laos]
- 1 pcs$0.04852
- 5,000 pcs$0.04827
- 10,000 pcs$0.04516
- 25,000 pcs$0.04153
- Osa number:
- NSR10F40NXT5G
- Tootja:
- ON Semiconductor
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN. Schottky Diodes & Rectifiers 0502 FC SCHOTTKY DIODES
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - sillaldid, Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in ON Semiconductor NSR10F40NXT5G electronic components. NSR10F40NXT5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSR10F40NXT5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSR10F40NXT5G Toote atribuudid
Osa number :
NSR10F40NXT5G
Tootja :
ON Semiconductor
Kirjeldus :
DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN
Sari :
-
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Schottky
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
40V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
1A (DC)
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
490mV @ 1A
Kiirus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
-
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
100µA @ 40V
Mahtuvus @ Vr, F :
-
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
2-XDFN
Tarnija seadme pakett :
2-DSN (1.4x0.6)
Töötemperatuur - ristmik :
150°C (Max)
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Kuumad osad
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置