Microsemi Corporation - APT200GT60JR

KEY Part #: K6532747

APT200GT60JR Hinnakujundus (USD) [2385tk Laos]

  • 1 pcs$18.24635
  • 12 pcs$18.15557

Osa number:
APT200GT60JR
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
IGBT 600V 195A ISOTOP.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid, Dioodid - RF, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation APT200GT60JR electronic components. APT200GT60JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GT60JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GT60JR Toote atribuudid

Osa number : APT200GT60JR
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : IGBT 600V 195A ISOTOP
Sari : Thunderbolt IGBT®
Osa olek : Active
IGBT tüüp : NPT
Seadistamine : Single
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 600V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 195A
Võimsus - max : 500W
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 200A
Praegune - koguja väljalülitus (max) : 25µA
Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 8.65nF @ 25V
Sisend : Standard
NTC termistor : No
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Pakett / kohver : SOT-227-4, miniBLOC
Tarnija seadme pakett : SOT-227

Samuti võite olla huvitatud
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT