Osa number :
VS-GT100TP120N
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Seadistamine :
Half Bridge
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) :
1200V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) :
180A
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Praegune - koguja väljalülitus (max) :
5mA
Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Töötemperatuur :
175°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Chassis Mount
Pakett / kohver :
INT-A-PAK (3 + 4)
Tarnija seadme pakett :
INT-A-PAK