Diodes Incorporated - 1N4006G-T

KEY Part #: K6452367

1N4006G-T Hinnakujundus (USD) [1383862tk Laos]

  • 1 pcs$0.02673
  • 5,000 pcs$0.02428
  • 10,000 pcs$0.02158
  • 25,000 pcs$0.02023
  • 50,000 pcs$0.01794

Osa number:
1N4006G-T
Tootja:
Diodes Incorporated
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 800V
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4006G-T electronic components. 1N4006G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006G-T Toote atribuudid

Osa number : 1N4006G-T
Tootja : Diodes Incorporated
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 800V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1V @ 1A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 2µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 800V
Mahtuvus @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : DO-204AL, DO-41, Axial
Tarnija seadme pakett : DO-41
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GI751-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated