Microsemi Corporation - APTGT100DH60T3G

KEY Part #: K6533667

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - sillaldid and Transistorid - eriotstarbelised ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT100DH60T3G electronic components. APTGT100DH60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100DH60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APTGT100DH60T3G

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : MOD IGBT 600V 150A SP3

Sari : -

Osa olek : Obsolete

IGBT tüüp : Trench Field Stop

Seadistamine : Asymmetrical Bridge

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 600V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 150A

Võimsus - max : 340W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 100A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 250µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 6.1nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : Yes

Töötemperatuur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Through Hole

Pakett / kohver : SP3

Tarnija seadme pakett : SP3

Samuti võite olla huvitatud

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumad osad