Microsemi Corporation - APT70GR120J

KEY Part #: K6533686

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Türistorid - TRIAC-d ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APT70GR120J electronic components. APT70GR120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT70GR120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APT70GR120J

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Sari : -

Osa olek : Active

IGBT tüüp : NPT

Seadistamine : Single

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 112A

Võimsus - max : 543W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 70A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 1mA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 7.26nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : No

Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : SOT-227-4

Tarnija seadme pakett : SOT-227

Samuti võite olla huvitatud

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.