STMicroelectronics - STPSC10H065B-TR

KEY Part #: K6455872

STPSC10H065B-TR Hinnakujundus (USD) [52268tk Laos]

  • 1 pcs$0.74806
  • 2,500 pcs$0.71066

Osa number:
STPSC10H065B-TR
Tootja:
STMicroelectronics
Täpsem kirjeldus:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - RF, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - IGBT - üksikud and Dioodid - alaldid - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in STMicroelectronics STPSC10H065B-TR electronic components. STPSC10H065B-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC10H065B-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STPSC10H065B-TR Toote atribuudid

Osa number : STPSC10H065B-TR
Tootja : STMicroelectronics
Kirjeldus : DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Silicon Carbide Schottky
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 650V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 10A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.75V @ 10A
Kiirus : No Recovery Time > 500mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 0ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 100µA @ 650V
Mahtuvus @ Vr, F : 480pF @ 0V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett : DPAK
Töötemperatuur - ristmik : -40°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • BAT43W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns