Diodes Incorporated - DMN2050LFDB-13

KEY Part #: K6525022

DMN2050LFDB-13 Hinnakujundus (USD) [595450tk Laos]

  • 1 pcs$0.06212
  • 10,000 pcs$0.05520

Osa number:
DMN2050LFDB-13
Tootja:
Diodes Incorporated
Täpsem kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Türistorid - TRIAC-d, Türistorid - SCR - moodulid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - IGBT - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2050LFDB-13 electronic components. DMN2050LFDB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2050LFDB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2050LFDB-13 Toote atribuudid

Osa number : DMN2050LFDB-13
Tootja : Diodes Incorporated
Kirjeldus : MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : 2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon : Logic Level Gate
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 3.3A
Rds sees (max) @ id, Vgs : 45 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 12nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 389pF @ 10V
Võimsus - max : 730mW
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 6-UDFN Exposed Pad
Tarnija seadme pakett : U-DFN2020-6 (Type B)