Vishay Siliconix - SI4569DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524041

[3964tk Laos]


    Osa number:
    SI4569DY-T1-GE3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Türistorid - SCR, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4569DY-T1-GE3 electronic components. SI4569DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4569DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4569DY-T1-GE3 Toote atribuudid

    Osa number : SI4569DY-T1-GE3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N and P-Channel
    FET funktsioon : Standard
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 7.6A, 7.9A
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 855pF @ 20V
    Võimsus - max : 3.1W, 3.2W
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Tarnija seadme pakett : 8-SO