Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS120-E3/52T

KEY Part #: K6455032

MURS120-E3/52T Hinnakujundus (USD) [384465tk Laos]

  • 1 pcs$0.09621
  • 750 pcs$0.09145
  • 1,500 pcs$0.07067
  • 2,250 pcs$0.06443
  • 5,250 pcs$0.06027
  • 18,750 pcs$0.05612

Osa number:
MURS120-E3/52T
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GP 200V 1A DO214AA. Rectifiers 1.0 Amp 200V 25ns
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - SCR, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Transistorid - JFET-id ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MURS120-E3/52T electronic components. MURS120-E3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURS120-E3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS120-E3/52T Toote atribuudid

Osa number : MURS120-E3/52T
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GP 200V 1A DO214AA
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 200V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 875mV @ 1A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 35ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 2µA @ 200V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AA, SMB
Tarnija seadme pakett : DO-214AA (SMB)
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • 50WQ10FNTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V DPAK.

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM

  • BAV20W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM