Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG24D-E3/TR3

KEY Part #: K6439722

BYG24D-E3/TR3 Hinnakujundus (USD) [475789tk Laos]

  • 1 pcs$0.07774
  • 7,500 pcs$0.07045

Osa number:
BYG24D-E3/TR3
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A 200 Volt 140ns
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - SCR and Transistorid - FET, MOSFET - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG24D-E3/TR3 electronic components. BYG24D-E3/TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG24D-E3/TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG24D-E3/TR3 Toote atribuudid

Osa number : BYG24D-E3/TR3
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Avalanche
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 200V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1.5A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.25V @ 1.5A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 140ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 200V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AC, SMA
Tarnija seadme pakett : DO-214AC (SMA)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22B-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • BYG10G-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10J-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt