Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP30J-E3/73

KEY Part #: K6440229

RGP30J-E3/73 Hinnakujundus (USD) [278337tk Laos]

  • 1 pcs$0.13289
  • 2,000 pcs$0.12043

Osa number:
RGP30J-E3/73
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 3.0A 250ns 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - JFET-id, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - RF, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid and Elektrijuhi moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP30J-E3/73 electronic components. RGP30J-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP30J-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP30J-E3/73 Toote atribuudid

Osa number : RGP30J-E3/73
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.3V @ 3A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 250ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : DO-201AD, Axial
Tarnija seadme pakett : DO-201AD
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • UH2DHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • BYD13GGPHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL.