Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34G/1

KEY Part #: K6437482

GL34G/1 Hinnakujundus (USD) [793899tk Laos]

  • 1 pcs$0.04916
  • 8,000 pcs$0.04892

Osa number:
GL34G/1
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud, Türistorid - SCR - moodulid, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - SCR and Transistorid - IGBT-moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34G/1 electronic components. GL34G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34G/1 Toote atribuudid

Osa number : GL34G/1
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 400V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 500mA
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.2V @ 500mA
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 1.5µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 400V
Mahtuvus @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-213AA (Glass)
Tarnija seadme pakett : DO-213AA (GL34)
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM