NSB8MT-E3/81 Hinnakujundus (USD) [143207tk Laos]
- 1 pcs$0.25828
- 800 pcs$0.24191
- 1,600 pcs$0.19098
- 2,400 pcs$0.17825
- 5,600 pcs$0.16976
- Osa number:
- NSB8MT-E3/81
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - Zener - üksikud, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - JFET-id, Dioodid - alaldid - ühekordsed and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8MT-E3/81 electronic components. NSB8MT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8MT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8MT-E3/81 Toote atribuudid
Osa number :
NSB8MT-E3/81
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Sari :
-
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
1000V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
8A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
1.1V @ 8A
Kiirus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
-
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
10µA @ 1000V
Mahtuvus @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tarnija seadme pakett :
TO-263AB
Töötemperatuur - ristmik :
-55°C ~ 150°C
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8KT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
Kuumad osad
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置