Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL41B/1

KEY Part #: K6434353

RGL41B/1 Hinnakujundus (USD) [905424tk Laos]

  • 1 pcs$0.04311
  • 4,000 pcs$0.04290

Osa number:
RGL41B/1
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41B/1 electronic components. RGL41B/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41B/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL41B/1 Toote atribuudid

Osa number : RGL41B/1
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 100V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.3V @ 1A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 150ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 100V
Mahtuvus @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-213AB, MELF (Glass)
Tarnija seadme pakett : DO-213AB
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • VS-HFA04SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60SLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF06STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK