Advanced Linear Devices Inc. - ALD110900PAL

KEY Part #: K6522273

ALD110900PAL Hinnakujundus (USD) [20736tk Laos]

1 pcs$1.47194
10 pcs$1.32959
100 pcs$1.01381
500 pcs$0.78850
1,000 pcs$0.65333

Osa number:: ALD110900PAL

Tootja:: Advanced Linear Devices Inc.

Täpsem kirjeldus:: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid and Transistorid - IGBT - üksikud ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD110900PAL electronic components. ALD110900PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD110900PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

ALD110900PAL Toote atribuudid

Osa number : ALD110900PAL

Tootja : Advanced Linear Devices Inc.

Kirjeldus : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Sari : EPAD®, Zero Threshold™

Osa olek : Active

FET tüüp : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET funktsioon : Standard

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 10.6V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : -

Rds sees (max) @ id, Vgs : 500 Ohm @ 4V

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 20mV @ 1µA

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : -

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Võimsus - max : 500mW

Töötemperatuur : 0°C ~ 70°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Through Hole

Pakett / kohver : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Tarnija seadme pakett : 8-PDIP

Viimased uudised

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers

Samuti võite olla huvitatud

FDG6318PZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.
SI6975DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.
SI6975DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.
DMG6968UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP.
DMP2035UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP.
AO8810

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

English Eesti Vabariik