ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-6BLI-TR

KEY Part #: K937754

IS43R86400F-6BLI-TR Hinnakujundus (USD) [17896tk Laos]

  • 1 pcs$2.56041

Osa number:
IS43R86400F-6BLI-TR
Tootja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Täpsem kirjeldus:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: PMIC - RMS-alalisvoolu muundurid, Loogika - puhvrid, draiverid, vastuvõtjad, transii, PMIC - pingeregulaatorid - eriotstarbelised, PMIC - täis-, poolsildid, Liides - draiverid, vastuvõtjad, transiiverid, Lineaarsed - võimendid - heli, Liides - spetsialiseerunud and PMIC - pingeregulaatorid - lineaarne + kommutatsio ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6BLI-TR electronic components. IS43R86400F-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400F-6BLI-TR Toote atribuudid

Osa number : IS43R86400F-6BLI-TR
Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kirjeldus : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Volatile
Mälu vorming : DRAM
Tehnoloogia : SDRAM - DDR
Mälu suurus : 512Mb (64M x 8)
Kella sagedus : 166MHz
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 15ns
Juurdepääsu aeg : 700ps
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 2.3V ~ 2.7V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 60-TFBGA
Tarnija seadme pakett : 60-TFBGA (13x8)

Viimased uudised

Samuti võite olla huvitatud
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C