Tootja :
GeneSiC Semiconductor
Kirjeldus :
TRANS SJT 650V 7A TO-257
Tehnoloogia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
7A (Tc) (165°C)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
-
Rds sees (max) @ id, Vgs :
170 mOhm @ 7A
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
-
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
-
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 35V
Võimsuse hajumine (max) :
80W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Tarnija seadme pakett :
TO-257
Pakett / kohver :
TO-257-3