Osa number :
TPC8018-H(TE12LQM)
Tootja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
2.3V @ 1mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
38nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
2265pF @ 10V
Võimsuse hajumine (max) :
1W (Ta)
Töötemperatuur :
150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
8-SOP (5.5x6.0)
Pakett / kohver :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)