Infineon Technologies - FS50R12U1T4BPSA1

KEY Part #: K6532668

[1090tk Laos]


    Osa number:
    FS50R12U1T4BPSA1
    Tootja:
    Infineon Technologies
    Täpsem kirjeldus:
    MOD IGBT LOW PWR SMART1-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - sillaldid, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Infineon Technologies FS50R12U1T4BPSA1 electronic components. FS50R12U1T4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS50R12U1T4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R12U1T4BPSA1 Toote atribuudid

    Osa number : FS50R12U1T4BPSA1
    Tootja : Infineon Technologies
    Kirjeldus : MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
    Sari : -
    Osa olek : Obsolete
    IGBT tüüp : Trench Field Stop
    Seadistamine : Three Phase Inverter
    Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V
    Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 90A
    Võimsus - max : 250W
    Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
    Praegune - koguja väljalülitus (max) : 1mA
    Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 100pF @ 25V
    Sisend : Standard
    NTC termistor : Yes
    Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C
    Paigaldus tüüp : Chassis Mount
    Pakett / kohver : Module
    Tarnija seadme pakett : Module

    Samuti võite olla huvitatud
    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.