ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM16800H-6BLI-TR

KEY Part #: K939347

Täpsem kirjeldus:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Lineaarsed - võimendid - heli, PMIC - laserdraiverid, Liides - filtrid - aktiivsed, Loogika - puhvrid, draiverid, vastuvõtjad, transii, Manustatud - mikrokontrollerid, PMIC - toiteallika kontrollerid, monitorid, PMIC - energia mõõtmine and Kell / ajastus - programmeeritavad taimerid ja ost ...

Konkurentsieelis:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-6BLI-TR electronic components. IS42VM16800H-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42VM16800H-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : IS42VM16800H-6BLI-TR

Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kirjeldus : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Sari : -

Osa olek : Active

Mälu tüüp : Volatile

Mälu vorming : DRAM

Tehnoloogia : SDRAM - Mobile

Mälu suurus : 128Mb (8M x 16)

Kella sagedus : 166MHz

Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : -

Juurdepääsu aeg : 5.5ns

Mäluliides : Parallel

Pinge - toide : 1.7V ~ 1.95V

Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : 54-TFBGA

Tarnija seadme pakett : 54-TFBGA (8x8)

Samuti võite olla huvitatud

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.