Taiwan Semiconductor Corporation - HS3M R7G

KEY Part #: K6457368

HS3M R7G Hinnakujundus (USD) [470240tk Laos]

  • 1 pcs$0.07866

Osa number:
HS3M R7G
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB. Rectifiers 3A,1000V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - JFET-id, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF and Dioodid - Zener - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R7G electronic components. HS3M R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3M R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3M R7G Toote atribuudid

Osa number : HS3M R7G
Tootja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 1000V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.7V @ 3A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 75ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 1000V
Mahtuvus @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AB, SMC
Tarnija seadme pakett : DO-214AB (SMC)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • ES2B-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • ES2FHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2FHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD