Vishay Siliconix - SIHG23N60E-GE3

KEY Part #: K6399384

SIHG23N60E-GE3 Hinnakujundus (USD) [18087tk Laos]

  • 1 pcs$2.27842
  • 10 pcs$2.03383
  • 100 pcs$1.66756
  • 500 pcs$1.35031
  • 1,000 pcs$1.08042

Osa number:
SIHG23N60E-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Türistorid - SCR - moodulid, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG23N60E-GE3 electronic components. SIHG23N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG23N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG23N60E-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHG23N60E-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Sari : E
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 95nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2418pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 227W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TA)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-247AC
Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.