Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-100-E3/98

KEY Part #: K6457900

BYM07-100-E3/98 Hinnakujundus (USD) [741879tk Laos]

  • 1 pcs$0.04986
  • 5,000 pcs$0.04918

Osa number:
BYM07-100-E3/98
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - sillaldid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT - massiivid and Türistorid - SCR - moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-100-E3/98 electronic components. BYM07-100-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-100-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM07-100-E3/98 Toote atribuudid

Osa number : BYM07-100-E3/98
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 100V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 500mA
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.25V @ 500mA
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 100V
Mahtuvus @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-213AA (Glass)
Tarnija seadme pakett : DO-213AA (GL34)
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt