Infineon Technologies - IDP30E60XKSA1

KEY Part #: K6440203

IDP30E60XKSA1 Hinnakujundus (USD) [63279tk Laos]

  • 1 pcs$0.61790
  • 500 pcs$0.44636

Osa number:
IDP30E60XKSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IDP30E60XKSA1 electronic components. IDP30E60XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E60XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP30E60XKSA1 Toote atribuudid

Osa number : IDP30E60XKSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 52.3A (DC)
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 2V @ 30A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 126ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 50µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : TO-220-2
Tarnija seadme pakett : PG-TO220-2-2
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier