Tootja :
ON Semiconductor
Kirjeldus :
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Transistori tüüp :
NPN - Pre-Biased
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) :
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) :
50V
Takisti - alus (R1) :
4.7 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2) :
10 kOhms
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Vce küllastus (maksimaalselt) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Praegune - koguja väljalülitus (max) :
100nA (ICBO)
Sagedus - üleminek :
250MHz
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Pakett / kohver :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tarnija seadme pakett :
TO-92-3