Tootja :
Rohm Semiconductor
Kirjeldus :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Osa olek :
Not For New Designs
Transistori tüüp :
NPN - Pre-Biased
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) :
200mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) :
30V
Takisti - alus (R1) :
4.7 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2) :
4.7 kOhms
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
115 @ 100mA, 2V
Vce küllastus (maksimaalselt) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Praegune - koguja väljalülitus (max) :
500nA
Sagedus - üleminek :
260MHz
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
SOT-723
Tarnija seadme pakett :
VMT3