Vishay Siliconix - SQM100N04-2M7_GE3

KEY Part #: K6418403

SQM100N04-2M7_GE3 Hinnakujundus (USD) [62085tk Laos]

  • 1 pcs$0.62980
  • 800 pcs$0.56679

Osa number:
SQM100N04-2M7_GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Türistorid - SCR and Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 electronic components. SQM100N04-2M7_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM100N04-2M7_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM100N04-2M7_GE3 Toote atribuudid

Osa number : SQM100N04-2M7_GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Sari : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 2.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 145nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 7910pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 157W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : TO-263 (D²Pak)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Samuti võite olla huvitatud
  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.