Infineon Technologies - IPP072N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6402787

IPP072N10N3GXKSA1 Hinnakujundus (USD) [43295tk Laos]

  • 1 pcs$0.76930
  • 10 pcs$0.69572
  • 100 pcs$0.55887
  • 500 pcs$0.43470
  • 1,000 pcs$0.34071

Osa number:
IPP072N10N3GXKSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPP072N10N3GXKSA1 electronic components. IPP072N10N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP072N10N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP072N10N3GXKSA1 Toote atribuudid

Osa number : IPP072N10N3GXKSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3.5V @ 90µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 68nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 4910pF @ 50V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 150W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : PG-TO220-3
Pakett / kohver : TO-220-3

Samuti võite olla huvitatud
  • CPH6443-P-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 35V 6A CPH6.

  • CPH6341-M-TL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M009A020CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.

  • GP1M008A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 8A DPAK.

  • GP1M006A065CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK.