Vishay Siliconix - SIHB35N60E-GE3

KEY Part #: K6399421

SIHB35N60E-GE3 Hinnakujundus (USD) [13208tk Laos]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Osa number:
SIHB35N60E-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Türistorid - SCR - moodulid, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Dioodid - sillaldid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB35N60E-GE3 electronic components. SIHB35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB35N60E-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHB35N60E-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 132nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2760pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 250W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D²PAK (TO-263)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Samuti võite olla huvitatud
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.