Global Power Technologies Group - GP1M018A020CG

KEY Part #: K6402675

[2622tk Laos]


    Osa number:
    GP1M018A020CG
    Tootja:
    Global Power Technologies Group
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 200V 18A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Türistorid - SCR ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M018A020CG electronic components. GP1M018A020CG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M018A020CG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M018A020CG Toote atribuudid

    Osa number : GP1M018A020CG
    Tootja : Global Power Technologies Group
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
    Sari : -
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 200V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 170 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 18nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±30V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 94W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : D-Pak
    Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Samuti võite olla huvitatud
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.