Tootja :
Rohm Semiconductor
Kirjeldus :
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Osa olek :
Not For New Designs
Transistori tüüp :
NPN - Pre-Biased
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) :
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) :
50V
Takisti - alus (R1) :
4.7 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2) :
-
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce küllastus (maksimaalselt) @ Ib, Ic :
150mV @ 250µA, 5mA
Praegune - koguja väljalülitus (max) :
500nA (ICBO)
Sagedus - üleminek :
250MHz
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
SC-75, SOT-416
Tarnija seadme pakett :
EMT3