Microsemi Corporation - APTGF50DSK120T3G

KEY Part #: K6533676

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - Zener - üksikud, Türistorid - SCR, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APTGF50DSK120T3G electronic components. APTGF50DSK120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF50DSK120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APTGF50DSK120T3G

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

Sari : -

Osa olek : Obsolete

IGBT tüüp : NPT

Seadistamine : Dual Buck Chopper

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 70A

Võimsus - max : 312W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 250µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 3.45nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : Yes

Töötemperatuur : -

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : SP3

Tarnija seadme pakett : SP3

Samuti võite olla huvitatud

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumad osad