AS4PJ-M3/86A Hinnakujundus (USD) [317666tk Laos]
- 1 pcs$0.12287
- 1,500 pcs$0.12226
- 3,000 pcs$0.11080
- 7,500 pcs$0.10315
- 10,500 pcs$0.10188
- Osa number:
- AS4PJ-M3/86A
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 600V
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - RF, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS4PJ-M3/86A electronic components. AS4PJ-M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4PJ-M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AS4PJ-M3/86A Toote atribuudid
Osa number :
AS4PJ-M3/86A
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
Sari :
eSMP®
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Avalanche
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
2.4A (DC)
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
962mV @ 2A
Kiirus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
1.8µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
10µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
TO-277, 3-PowerDFN
Tarnija seadme pakett :
TO-277A (SMPC)
Töötemperatuur - ristmik :
-55°C ~ 175°C
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
CDBFN160-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 60V
-
Kuumad osad
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置