Microsemi Corporation - APTGF25H120T2G

KEY Part #: K6533679

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - sillaldid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - RF and Türistorid - SCR ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APTGF25H120T2G electronic components. APTGF25H120T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF25H120T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APTGF25H120T2G

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2

Sari : -

Osa olek : Obsolete

IGBT tüüp : NPT

Seadistamine : Full Bridge Inverter

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 40A

Võimsus - max : 208W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 25A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 250µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : Yes

Töötemperatuur : -

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : SP2

Tarnija seadme pakett : SP2

Samuti võite olla huvitatud

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumad osad