Vishay Siliconix - SIHG22N50D-GE3

KEY Part #: K6394076

SIHG22N50D-GE3 Hinnakujundus (USD) [17414tk Laos]

  • 1 pcs$2.36656
  • 10 pcs$2.11404
  • 100 pcs$1.73336
  • 500 pcs$1.40359
  • 1,000 pcs$1.18375

Osa number:
SIHG22N50D-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Türistorid - SCR and Dioodid - Zener - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG22N50D-GE3 electronic components. SIHG22N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG22N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG22N50D-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHG22N50D-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 500V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 230 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 98nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1938pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 312W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-247AC
Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.