Taiwan Semiconductor Corporation - SK55C M6G

KEY Part #: K6457618

SK55C M6G Hinnakujundus (USD) [586340tk Laos]

  • 1 pcs$0.06308

Osa number:
SK55C M6G
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SK55C M6G electronic components. SK55C M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SK55C M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SK55C M6G Toote atribuudid

Osa number : SK55C M6G
Tootja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kirjeldus : DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
Dioodi tüüp : Schottky
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 50V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 5A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 750mV @ 5A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : -
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 500µA @ 50V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AB, SMC
Tarnija seadme pakett : DO-214AB (SMC)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM