Infineon Technologies - IRFB4310ZPBF

KEY Part #: K6400261

IRFB4310ZPBF Hinnakujundus (USD) [29043tk Laos]

  • 1 pcs$1.29125
  • 10 pcs$1.10587
  • 100 pcs$0.88867
  • 500 pcs$0.69120
  • 1,000 pcs$0.57271

Osa number:
IRFB4310ZPBF
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - eriotstarbelised, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - JFET-id and Türistorid - SCR ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4310ZPBF electronic components. IRFB4310ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4310ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4310ZPBF Toote atribuudid

Osa number : IRFB4310ZPBF
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Sari : HEXFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 150µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 170nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 6860pF @ 50V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 250W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-220AB
Pakett / kohver : TO-220-3