Infineon Technologies - IPB80N06S3-07

KEY Part #: K6409878

[130tk Laos]


    Osa number:
    IPB80N06S3-07
    Tootja:
    Infineon Technologies
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S3-07 electronic components. IPB80N06S3-07 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S3-07, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB80N06S3-07 Toote atribuudid

    Osa number : IPB80N06S3-07
    Tootja : Infineon Technologies
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    Sari : OptiMOS™
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 55V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 6.5 mOhm @ 51A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 80µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 170nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±20V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 7768pF @ 25V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 135W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : PG-TO263-3-2
    Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Samuti võite olla huvitatud
    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS159N E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.

    • BSS159N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.