IXYS - IXTP1R4N100P

KEY Part #: K6394833

IXTP1R4N100P Hinnakujundus (USD) [49877tk Laos]

  • 1 pcs$0.90601
  • 50 pcs$0.90151

Osa number:
IXTP1R4N100P
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF and Dioodid - RF ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXTP1R4N100P electronic components. IXTP1R4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R4N100P Toote atribuudid

Osa number : IXTP1R4N100P
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
Sari : Polar™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1000V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.5V @ 50µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 17.8nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 63W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-220AB
Pakett / kohver : TO-220-3