Infineon Technologies - IRF3710PBF

KEY Part #: K6399950

IRF3710PBF Hinnakujundus (USD) [57024tk Laos]

  • 1 pcs$0.71495
  • 10 pcs$0.63300
  • 100 pcs$0.50017
  • 500 pcs$0.38790
  • 1,000 pcs$0.28968

Osa number:
IRF3710PBF
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - JFET-id, Dioodid - RF, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IRF3710PBF electronic components. IRF3710PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3710PBF Toote atribuudid

Osa number : IRF3710PBF
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Sari : HEXFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 130nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 3130pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 200W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-220AB
Pakett / kohver : TO-220-3

Samuti võite olla huvitatud
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.